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TK10A60W,S4VX(M

TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA


3934616.pdf Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details TK10A60W,S4VX(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK10A60W,S4VX(M Hersteller : Toshiba 16tk10a60w_en_datasheet.pdf TK10A60W,S4VX(M
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TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1A97820&compId=TK10A60W.pdf?ci_sign=c43f6bb42aaa9efc7dca3b3aab4cd833cdd9cbf6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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TK10A60W,S4VX(M TK10A60W,S4VX(M Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A384B880A1A97820&compId=TK10A60W.pdf?ci_sign=c43f6bb42aaa9efc7dca3b3aab4cd833cdd9cbf6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.7A
On-state resistance: 327mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: SC67
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