TK10A80W,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 40W
Case: SC67
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Technische Details TK10A80W,S4X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK10A80W,S4X(S nach Preis ab 3.13 EUR bis 5.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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TK10A80W,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9.5A; 40W; SC67 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9.5A Power dissipation: 40W Case: SC67 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK10A80W,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK10A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 9.5 A, 0.46 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK10A80W,S4X(S | Hersteller : Toshiba | TK10A80W,S4X(S |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK10A80W,S4X(S | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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