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TK10E80W,S1X

TK10E80W,S1X Toshiba

TK10E80W_datasheet_en_20160908-1649931.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB(OS) PD=130W F=1MHZ
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Technische Details TK10E80W,S1X Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK10E80W,S1X nach Preis ab 6.61 EUR bis 8.32 EUR

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TK10E80W,S1X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK10E80W_datasheet_en_20160908.pdf?did=35696&prodName=TK10E80W Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 300 V
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TK10E80W,S1X TK10E80W,S1X Hersteller : Toshiba 13332docget.jspdid35696prodnametk10e80w.jspdid35696prodnametk10e80w.pd.pdf Trans MOSFET N-CH Si 800V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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