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TK10P60W,RVQ(S

TK10P60W,RVQ(S Toshiba

335docget.jsptypedatasheetlangenpidtk10p60w.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details TK10P60W,RVQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK10P60W,RVQ(S TK10P60W,RVQ(S Hersteller : TOSHIBA 3621094.pdf Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3769 Stücke:
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TK10P60W,RVQ(S TK10P60W,RVQ(S Hersteller : TOSHIBA 3621094.pdf Description: TOSHIBA - TK10P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm
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