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TK110A10PL,S4X

TK110A10PL,S4X Toshiba

TK110A10PL_datasheet_en_20210127-2509585.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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Technische Details TK110A10PL,S4X Toshiba

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.

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TK110A10PL,S4X TK110A10PL,S4X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60953&prodName=TK110A10PL Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
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TK110A10PL,S4X TK110A10PL,S4X Hersteller : Toshiba tk110a10pl_datasheet_en_20210127.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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