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TK110E10PL,S1X

TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=60605&prodName=TK110E10PL Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.22 EUR
50+1.57 EUR
100+1.41 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.03 EUR
2000+0.95 EUR
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Technische Details TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 87W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 50 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK110E10PL,S1X TK110E10PL,S1X Hersteller : Toshiba 3433393346333043363843464545433444313241384430313633393145324535.pdf MOSFETs TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS
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TK110E10PL,S1X TK110E10PL,S1X Hersteller : Toshiba tk110e10pl_datasheet_en_20210126.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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