TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
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Technische Details TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 160A, Drain current: 60A, Drain-source voltage: 100V, On-state resistance: 16mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 75W, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 160A Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 16mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 75W Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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