TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 72+ | 1 EUR |
| 88+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.72 EUR |
| 112+ | 0.64 EUR |
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Technische Details TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 75W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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