TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
auf Bestellung 1381 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 1.07 EUR |
| 81+ | 0.88 EUR |
| 93+ | 0.78 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
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Technische Details TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 60A, On-state resistance: 16mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 75W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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