TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 75W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 67+ | 1.07 EUR |
| 81+ | 0.88 EUR |
| 93+ | 0.78 EUR |
| 107+ | 0.67 EUR |
| 114+ | 0.63 EUR |
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Technische Details TK110P10PL,RQ(S2 TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK, Case: DPAK, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 160A, Drain current: 60A, Drain-source voltage: 100V, On-state resistance: 16mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 75W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 160A; 75W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 160A Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V On-state resistance: 16mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 75W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| TK110P10PL,RQ(S2 | Hersteller : Toshiba | PWR-MOSFET N-CHANNEL |
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