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TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X Toshiba

TK11A65W_datasheet_en_20140512-1916254.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs MOSFET NChannel 0.33ohm DTMOS
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Technische Details TK11A65W,S5X Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

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TK11A65W,S5X TK11A65W,S5X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14259&prodName=TK11A65W Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
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TK11A65W,S5X TK11A65W,S5X Hersteller : Toshiba 3tk11a65w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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