Produkte > TOSHIBA > TK11P65W,RQ
TK11P65W,RQ

TK11P65W,RQ Toshiba

7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.05 EUR
143+1.00 EUR
144+0.96 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK11P65W,RQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK11P65W,RQ nach Preis ab 0.91 EUR bis 4.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1709 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
141+1.05 EUR
143+1.00 EUR
144+0.96 EUR
500+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 141
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.08 EUR
10+2.56 EUR
100+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba TK11P65W_datasheet_en_20140917-1916288.pdf MOSFETs Power MOSFET N-Channel
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.24 EUR
10+2.22 EUR
100+1.83 EUR
500+1.76 EUR
2000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba 7docget.jsplangenpidtk11p65wtypedatasheet.jsplangenpidtk11p65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK11P65W,RQ TK11P65W,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 450µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH