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| Anzahl | Preis |
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| 31+ | 4.81 EUR |
| 50+ | 3.93 EUR |
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| 500+ | 2.61 EUR |
| 1000+ | 2.2 EUR |
| 2500+ | 2.05 EUR |
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Technische Details TK125V65Z,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK125V65Z,LQ(S nach Preis ab 3.1 EUR bis 8.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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TK125V65Z,LQ(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 5-Pin DFN EP |
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TK125V65Z,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: To Be Advised |
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TK125V65Z,LQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK125V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.105 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: To Be Advised |
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