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TK12A60D(STA4,Q,M)

TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba

TK12A60D_datasheet_en_20131101-1150416.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
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Technische Details TK12A60D(STA4,Q,M) Toshiba

Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: To Be Advised
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TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 198docget.jsppidtk12a60dlangentypedatasheet.jsppidtk12a60dlangentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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TK12A60D(STA4,Q,M) TK12A60D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 198docget.jsppidtk12a60dlangentypedatasheet.jsppidtk12a60dlangentype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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