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TK13A60D

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Transistoren > MOSFET N-CH

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TK13A60D(STA4,Q,M) TK13A60D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba TK13A60D_datasheet_en_20131101-707976.pdf MOSFET N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V
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TK13A60D Hersteller : Toshiba
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TK13A60D(STA4,Q,M) TK13A60D(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Packaging: Tube
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