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Technische Details TK13P25D,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK13P25D,RQ(S nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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TK13P25D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 250V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK13P25D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 13A; 96W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 96W Drain-source voltage: 250V |
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TK13P25D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TK13P25D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK13P25D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
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TK13P25D,RQ(S | Hersteller : Toshiba |
Silicon N-Channel MOSFET |
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