TK14A65W,S5X(M TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 3.63 EUR |
| 22+ | 3.26 EUR |
| 29+ | 2.50 EUR |
| 31+ | 2.36 EUR |
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Technische Details TK14A65W,S5X(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK14A65W,S5X(M nach Preis ab 2.36 EUR bis 3.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK14A65W,S5X(M | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.7A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.7A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK14A65W,S5X(M | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK14A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK14A65W,S5X(M | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |