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TK14G65W,RQ(S

TK14G65W,RQ(S TOSHIBA

3934640.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 708 Stücke:
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Technische Details TK14G65W,RQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK14G65W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13.7 A, 0.22 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 130W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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TK14G65W,RQ(S TK14G65W,RQ(S Toshiba 1247docget.jsplangenpidtk14g65wtypedatasheet.jsplangenpidtk14g65wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 13.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 130W
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 130W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: D2PAK
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