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TK155A65Z,S4X

TK155A65Z,S4X Toshiba


TK155A65Z_datasheet_en_20190930-1919893.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFET MOSFET 650V 155mOhms DTMOS-VI
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Technische Details TK155A65Z,S4X Toshiba

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Hersteller : Toshiba tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Hersteller : Toshiba tk155a65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK155A65Z,S4X TK155A65Z,S4X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
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