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Technische Details TK155E65Z,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK155E65Z,S1X(S nach Preis ab 8.18 EUR bis 8.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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TK155E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK155E65Z,S1X(S | TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.13Ω Gate charge: 29nC Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK155E65Z,S1X(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TK155E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 31+ | 8.18 EUR |
| TK155E65Z,S1X(S |
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.13Ω
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhancement
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