Technische Details TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 375W, Case: TO220SM, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 121nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK160F10N1L,LQ(O nach Preis ab 2.64 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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TK160F10N1L,LQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK160F10N1L,LQ(O |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 49+ | 3.61 EUR |
| 51+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| 2500+ | 2.69 EUR |
| 5000+ | 2.64 EUR |