TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.61 EUR |
| 51+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 250+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.82 EUR |
| 2500+ | 2.69 EUR |
| 5000+ | 2.64 EUR |
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Technische Details TK160F10N1L,LQ(O Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 160A, Power dissipation: 375W, Case: TO220SM, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 121nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote TK160F10N1L,LQ(O nach Preis ab 3.42 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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TK160F10N1L,LQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK160F10N1L,LQ(O | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 375W Case: TO220SM Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 121nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| TK160F10N1L,LQ(O |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH Si 100V 160A 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.61 EUR |
| 51+ | 3.42 EUR |
| TK160F10N1L,LQ(O |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 375W; TO220SM
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 375W
Case: TO220SM
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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