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TK170V65Z,LQ(S

TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA

TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm
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Technische Details TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 150W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.142ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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500+3.77 EUR
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TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 4-Pin DFN EP
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TK170V65Z,LQ(S TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA TOSC-S-A0009581717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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TK170V65Z,LQ(S TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Gate charge: 29nC
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TK170V65Z,LQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK170V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.142 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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SVHC: To Be Advised
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Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Gate charge: 29nC
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