TK170V65Z,LQ

TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=67740&prodName=TK170V65Z Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK170V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA, Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK170V65Z,LQ nach Preis ab 2.82 EUR bis 7.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Hersteller : Toshiba TK170V65Z_datasheet_en_20190930-1919923.pdf MOSFETs MOSFET 650V 170mOhms DTMOS-VI
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.61 EUR
10+4.29 EUR
25+4.28 EUR
50+4.03 EUR
100+3.15 EUR
500+2.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=67740&prodName=TK170V65Z Description: MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 730µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 300 V
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.43 EUR
10+4.92 EUR
100+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ Hersteller : Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Hersteller : Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK170V65Z,LQ TK170V65Z,LQ Hersteller : Toshiba tk170v65z_datasheet_en_20190930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH