Produkte > TOSHIBA > TK190U65Z,RQ
TK190U65Z,RQ

TK190U65Z,RQ Toshiba


tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.74 EUR
57+2.50 EUR
100+2.16 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK190U65Z,RQ Toshiba

Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA, Supplier Device Package: TOLL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V.

Weitere Produktangebote TK190U65Z,RQ nach Preis ab 1.64 EUR bis 7.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1469 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
54+2.74 EUR
57+2.50 EUR
100+2.16 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 54
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Hersteller : Toshiba TK190U65Z_datasheet_en_20210914-2005153.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.34 EUR
10+4.15 EUR
100+2.90 EUR
500+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
auf Bestellung 1022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.52 EUR
10+4.97 EUR
100+3.52 EUR
500+2.90 EUR
1000+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Hersteller : Toshiba tk190u65z_datasheet_en_20210914.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 15A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK190U65Z,RQ TK190U65Z,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69977&prodName=TK190U65Z Description: DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 610µA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH