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TK1K2A60F,S4X

TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V
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Technische Details TK1K2A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 300 V.

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TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Hersteller : Toshiba TK1K2A60F_datasheet_en_20180925-2509694.pdf MOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
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TK1K2A60F,S4X Hersteller : Toshiba TK1K2A60F_datasheet_en_20180925.pdf?did=59766&prodName=TK1K2A60F N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K2A60F,S4X(S TTK1k2a60f
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TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Hersteller : Toshiba tk1k2a60f_datasheet_en_20180925.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK1K2A60F,S4X TK1K2A60F,S4X Hersteller : Toshiba tk1k2a60f_datasheet_en_20180925.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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