Technische Details TK20E60W,S1VX(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 165W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Weitere Produktangebote TK20E60W,S1VX(S nach Preis ab 2.03 EUR bis 17.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TK20E60W,S1VX(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
auf Bestellung 332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK20E60W,S1VX(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 165W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK20E60W,S1VX(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 4.07 EUR |
| 68+ | 2.56 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| TK20E60W,S1VX(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.54 EUR |
| 24+ | 10.02 EUR |
| 100+ | 5.78 EUR |