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TK20E60W,S1VX(S

TK20E60W,S1VX(S TOSHIBA


TOSCS48790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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Technische Details TK20E60W,S1VX(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK20E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Preis ohne MwSt
TK20E60W,S1VX(S TK20E60W,S1VX(S Hersteller : Toshiba 2241tk20e60w_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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