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TK22E10N1,S1X(S

TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK22E10N1.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 72W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 2621 Stücke:
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TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1,S1X(S Toshiba 2002docget.jsplangenpidtk22e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk22e10n1ty.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 30 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK22E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 52 A, 0.0115 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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