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TK25E60X,S1X

TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

TK25E60X_datasheet_en_20140512.pdf?did=15196&prodName=TK25E60X Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
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Technische Details TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V.

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TK25E60X,S1X TK25E60X,S1X Hersteller : Toshiba TK25E60X_datasheet_en_20140512-1916304.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
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TK25E60X,S1X TK25E60X,S1X Hersteller : Toshiba 11161docget.jsplangenpidtk25e60xtypedatasheet.jsplangenpidtk25e60xtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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