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Technische Details TK2P90E,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK2P90E,RQ(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TK2P90E,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: To Be Advised |
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TK2P90E,RQS | Hersteller : Toshiba |
 MOSFET N-Ch TT-MOSVIII 900V 80W 500pF 2A |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK2P90E,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK2P90E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2 A, 4.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK2P90E,RQ(S | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel MOS |
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