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TK2R4A08QM,S4X

TK2R4A08QM,S4X Toshiba

docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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Technische Details TK2R4A08QM,S4X Toshiba

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V.

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TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Hersteller : Toshiba TK2R4A08QM_datasheet_en_20230120-2486506.pdf MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4mohm
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TK2R4A08QM,S4X TK2R4A08QM,S4X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70413&prodName=TK2R4A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.44mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
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