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TK31N60W,S1VF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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TK31N60W,S1VF TK31N60W,S1VF Hersteller : Toshiba C11E7B2D9590FCF1136CC28F2064EBA83021A677FFF3413AEE8926F9B9813666.pdf MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
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TK31N60W,S1VF Hersteller : Toshiba docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W MOSFET N CH 600V 30.8A TO247 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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TK31N60W,S1VF TK31N60W,S1VF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13612&prodName=TK31N60W Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
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