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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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TK31N60W5,S1VF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK31N60W5,S1VF | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK31N60W5,S1VF | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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TK31N60W5,S1VF | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK31N60W5,S1VF | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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