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TK31V60W,LVQ(S

TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA

TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Verlustleistung Pd: 240W
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Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
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Technische Details TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 240W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
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TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
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TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S Toshiba 1545docget.jsplangenpidtk31v60wtypedatasheet.jsplangenpidtk31v60wtype.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
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TK31V60W,LVQ(S TK31V60W,LVQ(S TOSHIBA TOSCS49618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin DFN EP
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 240W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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