Produkte > TOSHIBA > TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1Z,LQ(O

TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba


tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
80+1.97 EUR
88+ 1.73 EUR
108+ 1.35 EUR
200+ 1.22 EUR
500+ 1.16 EUR
1000+ 0.99 EUR
2000+ 0.88 EUR
4000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TK33S10N1Z,LQ(O

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Hersteller : TOSHIBA 3621098.pdf Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Hersteller : TOSHIBA 3621098.pdf Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Hersteller : Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar