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TK33S10N1Z,LQ(O

TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba

tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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Technische Details TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 125W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm.

Weitere Produktangebote TK33S10N1Z,LQ(O nach Preis ab 1.12 EUR bis 6.3 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O Toshiba tk33s10n1z_datasheet_en_20200624.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 33A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm
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40+6.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
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TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1Z,LQ(O TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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