Technische Details TK35E08N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 72W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm.
Weitere Produktangebote TK35E08N1,S1X(S nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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TK35E08N1,S1X(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK35E08N1,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 72W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 550+ | 1.15 EUR |
| TK35E08N1,S1X(S |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 72W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 59+ | 4.27 EUR |
| 121+ | 1.93 EUR |
| 133+ | 1.62 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |