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TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF Toshiba

TK39N60W_datasheet_en_20131226-1140096.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
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Technische Details TK39N60W,S1VF Toshiba

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 270W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V.

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TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W_datasheet_en_20131226.pdf?did=13613&prodName=TK39N60W Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
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TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Hersteller : Toshiba 29tk39n60w_en_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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