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Technische Details TK3A60DA(STA4,Q,M) Toshiba
Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: SC-67, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK3A60DA(STA4,Q,M)
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK3A60DA(STA4,Q,M) | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: SC-67 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TK3A60DA(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK3A60DA(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS |
Produkt ist nicht verfügbar |