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TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S Toshiba

327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1830 Stücke:
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67+2.61 EUR
98+1.76 EUR
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Technische Details TK3P50D,RQ(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TK3P50D,RQ(S nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba 327tk3p50d_datasheet_en_20131226.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+2.7 EUR
200+2.03 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.4 EUR
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TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
118+1.98 EUR
168+1.27 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S TOSHIBA 3732411.pdf Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
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168+1.27 EUR
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1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TK3P50D,RQ(S TK3P50D,RQ(S Toshiba 1E36E95953A611E25B3C48FD531BFC1FD16CE4A0C264A99B9C059825E033D799.pdf MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
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2000+1.05 EUR
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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TK3P50D,RQ(S 3732411.pdf
TK3P50D,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1980 Stücke:
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TK3P50D,RQ(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1980 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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118+1.98 EUR
168+1.27 EUR
500+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TK3P50D,RQ(S
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.09 EUR
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TK3P50D,RQ(S 1E36E95953A611E25B3C48FD531BFC1FD16CE4A0C264A99B9C059825E033D799.pdf
TK3P50D,RQ(S
Hersteller: Toshiba
MOSFETs N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm
auf Bestellung 1997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
2000+1.05 EUR
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