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Technische Details TK3P50D,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK3P50D,RQ(S nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK3P50D,RQ(S | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V |
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