Technische Details TK3P50D Toshiba
Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Weitere Produktangebote TK3P50D
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| TK3P50D | Toshiba |
 Toshiba |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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TK3P50D,RQ | TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 60W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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TK3P50D | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
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| TK3P50D |
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Hersteller: Toshiba
Toshiba
Toshiba
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| TK3P50D,RQ |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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| TK3P50D |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
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