| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 128+ | 1.39 EUR |
| 151+ | 1.17 EUR |
| 176+ | 0.98 EUR |
| 200+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
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Technische Details TK3P80E,RQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 80W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm.
Weitere Produktangebote TK3P80E,RQ(S nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TK3P80E,RQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK3P80E,RQ(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK3P80E,RQ(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 1838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK3P80E,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 80W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK3P80E,RQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 80W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm |
auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK3P80E,RQ(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 1.52 EUR |
| 157+ | 1.12 EUR |
| 200+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.73 EUR |
| TK3P80E,RQ(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2 EUR |
| TK3P80E,RQ(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 1838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 89+ | 2 EUR |
| TK3P80E,RQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 54+ | 4.65 EUR |
| 112+ | 2.09 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| TK3P80E,RQ(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 80W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
auf Bestellung 1555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.65 EUR |
| 112+ | 2.09 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |