Produkte > TOSHIBA > TK4A60DA(STA4,Q,M)
TK4A60DA(STA4,Q,M)

TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba


TK4A60DA_datasheet_en_20131101-1134423.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.6 EUR
10+1.44 EUR
100+1.12 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TK4A60DA(STA4,Q,M) Toshiba

Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote TK4A60DA(STA4,Q,M) nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK4A60DA(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA TK4A60DA THT N channel transistors
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
60+1.2 EUR
100+0.72 EUR
109+0.66 EUR
116+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 60
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba tk4a60da_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba tk4a60da_datasheet_en_20131101.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK4A60DA(STA4,Q,M) TK4A60DA(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH