TK4A60DB(STA4,Q,M)
Produktcode: 145180
Hersteller: Produkt ist nicht verfügbar
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TK4A60DB(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
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TK4A60DB(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
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TK4A60DB(STA4,Q,M) | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm |
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