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TK4R4P06PL,RQ(S2

TK4R4P06PL,RQ(S2 Toshiba

tk4r4p06pl_datasheet_en_20210127.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 106A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details TK4R4P06PL,RQ(S2 Toshiba

Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 87W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TK4R4P06PL,RQ(S2

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Hersteller : TOSHIBA 3934727.pdf Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2349 Stücke:
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TK4R4P06PL,RQ(S2 TK4R4P06PL,RQ(S2 Hersteller : TOSHIBA 3934727.pdf Description: TOSHIBA - TK4R4P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 106 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: U-MOSIX-H Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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TK4R4P06PL,RQ(S2 Hersteller : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
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