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TK5P65W,RQ

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Produktcode: 184247
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Transistoren > MOSFET N-CH

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TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Hersteller : Toshiba tosc_s_a0001381671_1-2283618.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=60W F=1MHZ
auf Bestellung 1670 Stücke:
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TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
auf Bestellung 1957 Stücke:
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TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Hersteller : Toshiba 6671docget.jspdid15521prodnametk5p65w.jspdid15521prodnametk5p65w.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 5.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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TK5P65W,RQ TK5P65W,RQ Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W_datasheet_en_20151225.pdf Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
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