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TK5R1A08QM,S4X

TK5R1A08QM,S4X Toshiba

TK5R1A08QM_datasheet_en_20221219-2486541.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1mohm
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Technische Details TK5R1A08QM,S4X Toshiba

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V.

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TK5R1A08QM,S4X TK5R1A08QM,S4X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=70419&prodName=TK5R1A08QM Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 40 V
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TK5R1A08QM,S4X TK5R1A08QM,S4X Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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