TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
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Technische Details TK60S06K3L(T6L1,NQ Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 88W, Case: DPAK, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 6.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 60nC, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
Weitere Produktangebote TK60S06K3L(T6L1,NQ nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008 |
auf Bestellung 1618 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK |
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| TK60S06K3L(T6L1,NQ | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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