TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TK62N60W,S1VF(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TK62N60W,S1VF(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK62N60W,S1VF(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK62N60W,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK62N60W,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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