TK62N60W5,S1VF(S Toshiba
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Technische Details TK62N60W5,S1VF(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote TK62N60W5,S1VF(S
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Preis |
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TK62N60W5,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
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TK62N60W5,S1VF(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine |
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| TK62N60W5,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| TK62N60W5,S1VF(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 61.8A Pulsed drain current: 247A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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