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TK62N60W5,S1VF

TK62N60W5,S1VF Toshiba

TK62N60W5_datasheet_en_20150115-1112774.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
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Technische Details TK62N60W5,S1VF Toshiba

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.

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TK62N60W5,S1VF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5_datasheet_en_20150115.pdf?did=15641&prodName=TK62N60W5 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
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TK62N60W5,S1VF Hersteller : Toshiba 3335docget.jspdid15641prodnametk62n60w5.jspdid15641prodnametk62n60w5..pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
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