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| Anzahl | Preis |
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Technische Details TK62N60X,S1F Toshiba
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V.
Weitere Produktangebote TK62N60X,S1F nach Preis ab 9.59 EUR bis 19.68 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba |
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax |
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TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V |
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TK62N60X,S1F Produktcode: 198877
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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TK62N60X,S1F | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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