TK65A10N1,S4X(S Toshiba
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Technische Details TK65A10N1,S4X(S Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP, Mounting: THT, Case: TO220FP, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 148A, On-state resistance: 4.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 45W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 81nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 850 Stücke.
Weitere Produktangebote TK65A10N1,S4X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 850 Stücke |
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TK65A10N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 148A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 45W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 81nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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