TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 44+ | 1.98 EUR |
| 48+ | 1.78 EUR |
| 55+ | 1.57 EUR |
| 60+ | 1.43 EUR |
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Technische Details TK65E10N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 192W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm.
Weitere Produktangebote TK65E10N1,S1X(S nach Preis ab 2.02 EUR bis 9.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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TK65E10N1,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK65E10N1,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK65E10N1,S1X(S | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK65E10N1,S1X(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 192W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm |
auf Bestellung 481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK65E10N1,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 81+ | 2.12 EUR |
| TK65E10N1,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 900+ | 2.13 EUR |
| TK65E10N1,S1X(S |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.82 EUR |
| 68+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.02 EUR |
| TK65E10N1,S1X(S |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 148A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.29 EUR |
| 53+ | 4.4 EUR |
| 100+ | 3.69 EUR |