TK65E10N1,S1X(S Toshiba
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| Anzahl | Preis |
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| 81+ | 1.78 EUR |
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Technische Details TK65E10N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 148A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK65E10N1,S1X(S nach Preis ab 1.63 EUR bis 2.37 EUR
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Preis | ||||||||
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TK65E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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TK65E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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TK65E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: To Be Advised |
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TK65E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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| TK65E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA | TK65E10N1 THT N channel transistors |
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