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TK65E10N1,S1X

TK65E10N1,S1X Toshiba

TK65E10N1_datasheet_en_20140630-1139955.pdf Hersteller: Toshiba
MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
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Technische Details TK65E10N1,S1X Toshiba

Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V.

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TK65E10N1,S1X TK65E10N1,S1X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1_datasheet_en_20140630.pdf?did=11934&prodName=TK65E10N1 Description: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
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